Home

RAM สามารถเปรียบเทียบได้กับความจำระยะสั้นของคน และฮาร์ดดิสก์ เหมือนกับหน่วยความจำระยะยาว หน่วยความจำระยะสั้นจะสนใจกับงานบนมือ แต่สามารถเก็บข้อเท็จจริงหลายอย่างในเวลาเดียวกัน ถ้าหน่วยความจำระยะสั้นถูกใช้จนเต็มแล้ว บางครั้งสมองสามารถ refresh โดยการดึงข้อเท็จจริง (fact) ในหน่วยความจำระยะยาวออกมา คอมพิวเตอร์ทำงานในลักษณะเดียวกัน ถ้า RAM ถูกใช้จนเต็มแล้ว ไมโครโพรเซสเซอร์ต้องไปที่ฮาร์ดดิสก์ เพื่อเรียกข้อมูลออกมาและเขียนทับ (Overlay) ด้วยข้อมูลใหม่ เป็นการทำให้เครื่องคอมพิวเตอร์ทำงานช้าลง แตกต่างจากฮาร์ดดิสก์ ที่มีข้อมูลอย่างสมบูรณ์ RAM จะไม่ทำงานมากกว่าขนาดหน่วยความจำ ซึ่งจะทำให้การทำงานช้าลง

ขนาด RAM
RAM ได้รับการเรียกว่า Random access - การเข้าถึงแบบสุ่ม เพราะตำแหน่งในการเก็บสามารถเข้าถึงโดยตรงที่จุดเริ่มต้น ทำให้มีการแยกมาจากหน่วยจำหลักปกติประเภท off line โดยปกติเทปแม่เหล็ก (Magnetic tape) จะให้ส่งข้อมูลได้โดยเริ่มจากจุดเริ่มต้นของเทป และจากตำแหน่งต่อเนื่อง บางครั้งสามารถเรียกได้ว่า “หน่วยความจำแบบไม่อนุกรม (Non Sequential Memory)” เพราะ RAM การเข้าถึงไม่มีลักษณะสุ่ม แต่ RAM ได้รับการจัดลักษณะและควบคุมให้ข้อมูลสามารถเก็บ และเรียกได้โดยตรงที่ตำแหน่ง (IBM มักจะเรียกว่า หน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยตรง) โดยตัวเก็บลักษณะอื่น เช่น ฮาร์ดดิสก์ และซีดี-รอม สามารถเข้าถึงโดยตรง (แบบสุ่ม) แต่คำว่า random  ไม่ได้ใช้กับการใช้กับตัวเก็บเหล่านี้

นอกจากดิสก์ ฟล็อปปี้ดิสก์ และซีดี-รอมแล้ว ตัวเก็บที่สำคัญอีกชนิด คือ Read-only-memory (ROM) และหน่วยความจำราคาแพงอื่น ๆ จะเก็บข้อมูลไว้ได้เมื่อปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ โดยคอมพิวเตอร์ทุกเครื่องจะมี ROM ขนาดเล็กที่เพียงพอสำหรับการเก็บโปรแกรม ซึ่ง ระบบปฏิบัติการสามารถโหลดมาที่ RAM ทุกครั้ง เมื่อเปิดเครื่องคอมพิวเตอร์

การทำงานของ RAM โดยสังเขป
โดยทั่วไป RAM คล้ายกับกล่องไปรษณีย์ (Post-office box) โดยแต่ละกล่องสามารถเก็บค่า 0 และ 1 แต่ละกล่องจะมีตำแหน่งที่เป็นเอกลักษณ์ (Unique address) สามารถหาได้โดยการนับแนวคอลัมน์ แล้วนับตามแถวใน RAM ซึ่ง Post-office คือ ฮาร์ดแวร์ และแต่ละกล่องคือ เซลล์ ในการค้นหารายการของกล่อง (เซลล์) ตัวควบคุม RAM จะส่งตำแหน่งของคอลัมน์/แถวไปตามสายไฟฟ้าบาง ๆ ไปที่ Chip มี address line ของแต่ละแถวและแต่ละคอลัมน์ในกลุ่มของกล่อง ถ้าข้อมูลกำลังถูกอ่าน บิต (bits) ที่ถูกอ่านจะไหลไปตาม data line ของ RAM โมดูลหรือ Chip ที่เขียน (ระบุ) เป็น 256 K x 16 หมายถึง 256,000 คอลัมน์ และลึก 16 แถว ขนาด 8 MB ของ RAM แบบ Dynamic (DRAM) บรรจุคาปาซิเตอร์ 8 ล้านตัว และทรานซิสเตอร์ 8 ล้านตัว และพาร์ทที่ต่อเชื่อม

RAM แบบ Dynamic (DRAM – ดีแรม) แต่ละเซลล์จะชาร์ตในส่วนที่คล้ายกับคาปาซิเตอร์ ทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่เป็นเกท (gate) ในการหาค่า อ่านค่า หรือเขียนค่าของคาปาซิเตอร์ ส่วน RAM แบบ Static (SRAM), แทนที่จะใช้การชาร์ตของคาปาซิเตอร์ แต่จะใช้ตัวทรานซิสเตอร์ที่เป็นสวิทซ์ แบบ flip/flop โดยตำแหน่งหนึ่งมีค่าเป็น 1 อีกตำแหน่งจะเป็น 0 ลักษณะภายนอก RAM เป็นชิปที่ติดมากับแผ่นเมนบอร์ดของเครื่องคอมพิวเตอร์ ซึ่งจำนวนของ RAM สามารถเพิ่มได้โดยการเสียบเพิ่มที่ Socket บนเมนบอร์ด การเพิ่ม RAM ทำได้ตามข้อกำหนดการคอนฟิก ได้แก่ หน่วยความจำแบบแถวเดียว (Single in-line memory modules-SIMM)หรือหน่วยความจำแบบแถวคู่ (Dual in-line memory modules-DIMM) เพราะ DIMM มีพินแบบ  64 บิต สามารถแทนที่ SIMMS แบบ 36 บิต  ถ้ามีการใช้ Synchronous DRAM ส่วนคอมพิวเตอร์แบบโน๊ตบุ๊คใช้ DIMMS แบบ 32 บิต ที่เรียกกันว่า Small outline DIMMS (SO DIMMS)

การเข้าถึงข้อมูล
เมื่อไมโครโพรเซสเซอร์ เรียกคำสั่งต่อไปมาทำงาน คำสั่งจะบรรจุตำแหน่งของหน่วยความจำที่สามารถอ่านข้อมูลได้ (นำไปที่ไมโครโพรเซสเซอร์สำหรับการประมวลผลต่อไป) ตำแหน่งนี้จะส่งไปที่ตัว RAM Controller ซึ่ง RAM Controller จะจัดการตามคำขอและส่งตำแหน่งที่ต้องการ เพื่อทำให้ทรานซิสเตอร์ เปิดเซลล์ ให้อ่านข้อมูลจากคาปาซิเตอร์ (คาปาซิเตอร์ ที่ได้รับการชาร์ตจะให้ค่าเป็น 1 และค่าชาร์ตต่ำ จะให้ค่าเป็น 0) สำหรับ RAM แบบ Dynamic จะมีการ power refresh เพื่อตรวจว่าค่าที่จะผ่านมีจริงก่อนอ่านค่าจากคาปาซิเตอร์ ใน RAM บางประเภท หน่วยของข้อมูลที่เรียก เพจ ได้รับการอ่านข้อมูลที่ถูกอ่านจะถูกส่งไปตาม Data line ไปที่ data buffer ของไมโครโพรเซสเซอร์ ซึ่งรู้จักในชื่อว่า Level-1 Cache (แคชระดับที่ 1) และตัวสำเนาจะส่งไปที่ Level-2 Cache (แคช ระดับที่ 2) สำหรับ RAM แบบ VIDEO (Video RAM) มีกระบวนการคล้ายกับ DRAM ยกเว้น Video RAM บางแบบ ที่ขณะเขียนข้อมูลโดยไมโครโพรเซสเซอร์  ข้อมูลยังสามารถอ่านโดย Video controller ในเวลาเดียวกัน

เวลาที่ RAM ใช้ในการอ่านและเขียน โดย ไมโครโพรเซสเซอร์ แต่ละครั้งเรียกว่าเวลาในการเข้าถึง (Access time) มีตั้งแต่ 9 nano second ถึง 70 nano second ซึ่งค่ายิ่งน้อยยิ่งดี แสดงว่าการนำข้อมูลออกมาทำได้เร็ว

ชนิดของ RAM
RAM สามารถแบ่งออกเป็น 2 ชนิด คือ

1. RAM หลัก (main RAM) สำหรับเก็บข้อมูลทุกประเภทและทำให้ CPU เรียกใช้ได้อย่างรวดเร็ว
2. RAM แบบ Video (Video RAM) เก็บข้อมูลสำหรับจอภาพ ทำให้ภาพไปที่จอได้เร็วขึ้น

RAM หลัก (main RAM)
RAM หลักแบ่งออกเป็น Static RAM (SRAM) และ Dynamic RAM (DRAM)

Static RAM (SRAM): SRAM มีราคาสูง และใช้พื้นที่เป็น 4 เท่าของ DRAM ในการเก็บข้อมูลที่เท่ากัน มีความแตกต่างจาก DRAM ในเรื่องการใช้ power-refresh ทำให้การเข้าถึงทำได้เร็วกว่า (SRAM มี เวลาในการเข้าถึง 25 nano seconds ในขณะที่ DRAM ใช้ถึง 60 nano seconds ซึ่ง DRAM ได้มีการพัฒนาความเร็วของการเข้าถึงข้อมูล) SRAM ได้รับการใช้โดยส่วนใหญ่เป็นแคชระดับ 1 และ ระดับ 2 ซึ่ง CPU จะติดต่อกับ SRAM (Cache) ก่อนที่จะติดต่อกับ DRAM

• Burst (or Synch Burst) Static RAM
  Burst SRAM (หรือที่รู้จักกันว่า Synch Burst VRAM) จะ Synchronize กับนาฬิกาของระบบ หรือในบางกรณีกับ cache bus ของนาฬิกา ทำให้สามารถ Synchronize ได้ง่ายกับอุปกรณ์ต่าง ๆ ลดเวลาการคอย สามารถนำไปใช้เป็นหน่วยความจำแบบ External level -2 cache สำหรับ Chipset ของ Pentium II

Dynamic RAM (DRAM): DRAM ใช้คาปาซิเตอร์ที่ต้องการ power-refresh เพื่อเก็บการชาร์ต เพราะการอ่าน DRAM จะดิสชาร์ตสิ่งที่เก็บไว้ ความต้องการ Power-refresh ภายหลังการอ่านแต่ละครั้ง นอกจากการอ่านแล้ว เป็นการรักษาชาร์ตให้อยู่ในตำแหน่ง RAM จะต้องมีการ refreshed ทุก ๆ 1.5 microsecond และ DRAM มีราคาถูกที่สุดในประเภทของ RAM

• Fast Page Mode (FPM DRAM)
  เป็นรูปแบบใหม่ของ RRAM โดย Fast Page Mode DRAM  (FPM DRAM) เป็นประเภทธรรมดาของ DRAM ในเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล Page Mode DRAM มีลักษณะสำคัญของการเข้าถึง คือ แถวของหน่วยความจำไม่ต้องกำหนดแถวใหม่ สัญญาณของ row access strobe (RAS) จะแอคทีฟเพื่อให้สัญญาของ column access strobe (CAS) มีการเปลี่ยนการอ่านลำดับของเซลล์ เป็นการลดเวลาการเข้าถึง และใช้พลังงานต่ำ Clock timing ของ FPM DRAM จะเป็น 6-3-3-3(3 clock cycle สำหรับการตั้งค่า การเข้าถึง 3 clock cycle สำหรับลำดับแรกและแต่ละครั้งของการแอ็คเซสต่อเนื่องกัน 3 ครั้ง ขึ้นกับการตั้งค่าเริ่มต้น
• Enhanced DRAM
  Enhanced DRAM (EDRAM) เป็นการรวม SRAM และ DRAM เป็นแพคเกจเดียวกัน ปกติมักจะใช้เป็นแคช ระดับ 2 รูปแบบส่วนส่วนใหญ่ จะใช้ 256 ไบต์ของ SRAM รวมเข้ากับ DRAM ข้อมูลในการอ่านครั้งแรกจะอ่านจาก SRAM (ด้วยเวลา 15 nanoseconds) ถ้าไม่พบจึงจะไปอ่านจาก DRAM ด้วยเวลา 35 nanoseconds)
• Extended Data Output RAM หรือ DRAM (EDO RAM หรือ EDO DRAM)
  EDO RAM หรือ EDO DRAM มีความเร็วสูงขึ้น 25% เมื่อเทียบกับ DRAM มาตรฐาน และเป็นการลดความต้องการใช้หน่วยความจำ แคชระดับ 2
• Burst Extended Data Out put DRAM (BEDO DRAM)
  BEDO RAM ปรับปรุง page mode ของ DRAM โดยใช้การสร้างการเลื่อนตำแหน่งคอลัมน์ที่ต่อเนื่องกัน 3 ครั้ง หลังจากคอลัมน์แรกได้รับการระบุ โดย 4 บิต จะถูกอ่านแบบ Brust ใช้ร่วมกับสถาปัตย์กรรมแบบ Dual bank DEDO DRAM ใช้เวลาการเข้าถึงเป็น 4-1-1-1 แต่ Intel และผู้ผลิตรายอื่นนิยมใช้ SDRAM ทำให้ BEDO DRAM ไม่ได้รับการใช้งานมากนัก
• Nonvolatile RAM (NVRAM)
  NVRAM เป็น RAM ประเภทพิเศษที่สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ เมื่อปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ หรือว่าไฟตกคล้ายกับหน่วยความจำแบบ ROM (Read-only memory) โดยใช้พลังงานจากแบตเตอรี่ ภายในเครื่องคอมพิวเตอร์ มันสามารถทำงานโดยเขียนข้อมูลและฟื้นฟูจาก EEPROM
• Synchronous DRAM (SDRAM)
  SDRAM เป็นชื่อทั่วไป สำหรับ DRAM ประเภทต่าง ๆ ที่ใช้การ Synchronized กับความเร็วนาฬิกาของไมโครโพรเซสเซอร ์เพื่อทำให้มีค่าเหมาะสม แนวโน้มนี้เป็นการเพิ่มจำนวนคำสั่ง ให้การทำงานของไมโครโพรเซสเซอร์ ความเร็วของ SDRAM มีอัตราเป็น MHz แทนที่จะเป็น ns พื่อทำให้สามารถเปรียบเทียบระหว่างความเร็วของบัส และความเร็ว RAM chip โดยการแปลงความเร็วนาฬิกาของ RAM เป็น ns หารด้วยความเร็วของชิป 1 พันล้าน ns เช่น 83 MHz RAM เทียบเท่ากับ 12 ns
• JEDEC SDRAM
  JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) SDRAM เป็นมาตรฐานในการผลิต Synchronous DRAM เป็นการใช้สถาปัตยกรรมแบบ dual bank และการเข้าถึงแบบหลาย brust mode ซึ่งสามารถกำหนดไว้ก่อน ชิปแบบ JEDEC DRAM ทำงานได้ที่ 83 MHz หรือ 100 MHz โดย JEDEC DRAM เป็นที่รู้จักกันในชื่อ PC66 SDRAM เพราะความเร็วที่ใช้ครั้งแรกสำหรับการทำงานกับบัสที่ 66 MHz และมีความโดดเด่นจากสถาปัตยกรรม แบบ PC100 ของ Intel
• PC100 SDRAM
  PC100   SDRAM เป็น SDRAM ที่ Intel ระบุเป็นข้อกำหนด และ Intel ได้สร้างมาตรฐานนี้เพื่อให้ผู้ผลิต RAM ผลิตชิปให้สามารถทำงานได้กับ Chipset รุ่น i440BX ของ Intel ซึ่ง i440BX ได้รับการออกแบบให้สามารถทำงานกับระบบบัสความเร็ว 100 MHz โดย PC100 SDRAM ทำงานที่ความเร็ว 100 MHz ด้วยรอบการเข้าถึงที่ 4-1-1-1 และมีรายงานกล่าวว่า สมรรถนะของ PC100 SDRAM สูงขึ้น 10-15% ในระบบ Socket 7 ของ Intel (แต่ไม่ใช่ Pentium II เพราะ cache level 2 จะทำงานเพียงครึ่งหนึ่งของความเร็วไมโครโพรเซสเซอร์)
• Double Data Rate SDRAM (DDR SDRAM)
  DDR SDRAM ในทางทฤษฎีสามารถทำให้ RAM มีความเร็วอย่างต่ำ 200 MHz มันจะกระตุ้นผลลัพธ์ (Output) ทั้งด้าน Rising และ Falling ของ System clock ไม่ใช่เฉพาะด้าน Rising ทำให้เพิ่มศักยภาพผลลัพธ์เป็นสองเท่า ได้รับการคาดหวังว่าผู้ผลิต Chipset ของ Socket 7 สามารถสนับสนุน SDRAM แบบนี้
• Enhonced SDRAM (ESDRAM)
  ESDRAM ทำโดยใช้ระบบหน่วยงานแบบ Enhance โดยการเพิ่ม Static RAM (SRAM) เล็ก ๆ ที่ชิป SDRAM มีความหมายว่าการเข้าถึงหลาย ๆ ครั้งจะเร็วขึ้น โดยรูปแบบของ SARM ในกรณีที่ SRAM ไม่มีข้อมูล ใช้บัสขนาดกว้างระหว่าง SRAM และ SDRAM เพราะอยู่บนชิปเดียวกัน ESDRAM ได้เกิดมาเป็นคู่แข่งของ DDR SDRAM ในฐานะชิป SDRAM ที่เร็วกว่า สำหรับไมโครโพรเซสเซอร์แบบ Socket 7
• Direct Rambus DRAM (DRDRAM)
  Direct Rambus DRAM เป็นเทคโนโลยีที่เสนอโดย Rambus Inc. ซึ่งเป็นหุ้นส่วนของ Intel มีการสัญญาว่าจะทำให้ RAM มีความเร็วสูงถึง 800 MHz โดยจะมีบัสขนาดเล็กกว่าการออกแบบของ SDRAM ในปัจจุบัน (ใช้ขนาด 16 บิต เปรียบเทียบกับ 64 บิต ของ SDRAM)
• SyncLink DRAM (SLDRAM)
  SyncLink DRAM (มีลักษณะคล้ายกับ Direct Rambus DRAM) เป็นการใช้หลักการแบบ Protocol-based ในการใช้วิธีนี้ สัญญาณทั้งหมดของ RAM จะเป็นสิ่งเดียวกัน (ไม่เหมือนกับการแยก CAS, RAS. ตำแหน่งและ data link) เพราะเวลาการเข้าถึงไม่ขึ้นกับการ Synchronize แบบมัลติไลน์ SLDRAM สัญญาว่าจะทำให้ความเร็ว RAM สูงถึง 800 MHz เช่นเดียวกับ Double Data Rate SDRAM, โดย SLDRAM สามารถทำงานเป็นสองเท่าของอัตราความเร็วนาฬิการะบบ Synclink เป็นมาตรฐานอุตสาหกรรมแบบเปิด ซึ่งคาดว่าจะแข่งขันและบางทีเป็นต่อเหนือ Direct Rambus DRAM

Video RAM
Video RAM ในฐานะ “video RAM” หมายถึงแบบทุกแบบของ RAM ที่ใช้ในการเก็บข้อมูลประเภทภาพ (image) สำหรับการแสดงภาพบนจอภาพ แต่ด้วยความสับสนทำให้ประเภททั่วไปของ Video RAM ทุกประเภทเป็น DRAM ที่ใช้งานด้วยการจัดการแบบพิเศษ video RAM ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์ระหว่างไมโครโพรเซสเซอร์กับจอภาพ และมักจะเรียกกว่าเฟรมบัฟเฟอร์ เมื่อภาพถูกส่งไปที่จอ (ภาพเหล่านี้) จะถูกอ่านโดย ตัวประมวลผลในรูปแบบของข้อมูลที่เก็บหลักของ RAM จากนั้นจะเขียนที่ video RAM จาก Video RAM (เฟรมบัฟเฟอร์) ข้อมูลจะถูกแปลงโดย RAMDAC เป็นสัญญาณอนาล็อก เพื่อส่งไปแสดงผลด้วยกลไกการแสดงภาพ เช่น หลอดคาร์โทด (CRT) โดยปกติ video RAM จะติดตั้งมาด้วยขนาด 1 – 2 MB และอยู่ที่การ์ด video หรือกราฟฟิคในเครื่องคอมพิวเตอร์ รูปแบบส่วนมากของ video RAM มักจะเป็น Dual Port ขณะที่หน่วยประมวลผลกำลังเขียนภาพใหม่ จอภาพจะอ่านข้อมูลจาก video RAM เพื่อเตรียมภาพต่อไป การออกแบบเป็น Dual Port เป็นสิ่งแตกต่างที่สำคัญระหว่าง Main RAMกับ video RAM

• RAMDAC
  RAMDAC (randomaccess memory digital to analog converte) เป็นไมโครชิป RAMDAC จะติดตั้งใน video adapter ในเครื่องคอมพิวเตอร์ มันจะรวม  SRAM ขนาดเล็กเพื่อใช้เก็บตารางสีกับตัวแปลงสัญญาณดิจิตัล 3 เป็นอานาล็อก เพื่อเปลี่ยนภาพแบบดิจิตัลให้เป็นข้อมูลอะนาล็อก สำหรับส่งไปที่ตัวให้กำเนิดสีจอภาพ (display is color qenerator) ได้แก่ แม่สีคือ แดง เขียง และน้ำเงิน ในจอภาพที่ใช้หลอดภาพคาโทด (CRT) สัญญาณอะนาล็อกจะไปที่ยืนดิเลคตรอน แต่ละตัวในจำนวน 3 ตัว  ถ้าจอภาพเป็นเทคโนโลยีอื่น สัญญาณจะส่งที่ตรงกับกลไกประเภทนั้น
  ส่วน SRAM ของ RAMDAC บรรจุตารางสี หมายเลขสีในข้อมูลแบบดิจิตัลที่ส่งมาที่ SRAM จะใช้สำหรับการสร้างเป็น 3 ค่า สำหรับสีแดง เขียวและน้ำเงิน เพื่อให้เกิดผลลัพธ์ไปที่ตัวแปลงสัญญาณ Digital-to-analog สัญญาณอะนาล็อกจากตัวแปลงสัญญาณ จะส่งโดยตรงไปยังปืนอิเลคตรอน หรือกลไกของ Image projecting สำหรับการแสดงสีจริง ข้อมูลสีดิจิตัลถูกส่งโดยส่งไปที่ DAC โดยไม่ผ่านตราราง SRAM เพราะไม่มีความจำเป็น
• Video RAM (VRAM)
  VRAM (เป็นอีกชื่อหนึ่งของ Video RAM) มีพอร์ทแบบ Dual port ซึ่งยินยอมให้หน่วยประมวลผลเขียนข้อมูลที่ Video RAM ในเวลาเดียวกันที่ทำการ Refresh จอภาพ
• Synchronous Graphics RAM
  Synchronous Graphics RAM (SG RAM) เป็น RAM แบบ clock- Synchronized ที่ใช้กับหน่วยความจำ วิดีโอราคาต่ำ SGRAM ใช้การเขียนแบบ Masked write ซึ่งทำให้สามารถเลือกข้อมูลไปปรับปรุงในการทำงาน และใช้การเขียนแบบ Block write ซึ่งยินยอมให้ข้อมูลของ black ground หรือ foreground ได้รับการจัดการที่มีประสิทธิภาพ SGRAM เป็นพอร์ทเดี่ยว (single port) เป็นส่วนพิเศษของหน่วยความจำวิดีโอ ที่ทำความเร็วเพิ่มขึ้นระดับปานกลาง
• Window RAM
  Window RAM (WRAM) ไม่เกี่ยวข้องกับ Microsoft Windows เป็น video RAM ที่มีสมรรถนะสูงมาก มีพอร์ทคู่ (dual ported) และมี bandwidth กว้างขึ้น 25% เมื่อเทียบกับ VRAM แต่มีราคาถูกกว่า WRAM มีส่วนทำให้มีประสิทธิภาพในการอ่านข้อมูล สำหรับการเติมบล็อค และการวาดข้อความ (Text drawing) โดยสามารถใช้สำหรับภาพความละเอียดสูง เช่น 1600 x 1200 pixels สำหรับการแสดงภาพสีจริง
• Maltibank Dynamic RAM
  Maltibank Dynamic RAM (MDRAM) เป็น RAM ที่มีสมรรถนะสูง พัฒนาโดย Mosys โดยการแบ่งหน่วยความจำเป็น 32Kb ส่วน หรือ bank ซึ่งสามารถเข้าถึงโดยอิสระ video RAM แบบปกติ เป็นแบบ Monolithic การเข้าถึงเฟรมบัฟเฟอร์ เป็นการเข้าถึงเพียงครั้งเดียว การใช้หน่วยความจำแบบส่วนอิสระจะยินยอมให้การเข้าถึงพร้อม ๆ กันได้ เป็นการเพิ่มสมรรถนะ และมีราคาถูก เพราะไม่เหมือนกับ video RAM แบบอื่น การ์ดสามารถผลิตให้ตรงกับลักษณะของ RAM สำหรับความสามารถในการให้ความละเอียด แทนที่จะต้องการหลายเมกกะไบต์
• Rambus Dynamic RAM
  Rambus Dynamic RAM (RDRAM) เป็น video RAM ที่ออกแบบโดย Rambus ด้วยการทำให้บัสมีความเหมาะสม เพื่อเพิ่มความเร็วในการไหลระหว่าง video RAM และ buffer ของเฟรม